的良品率。
随着目前半导体行业的发展，处理器芯片制程已经完全的开始达到三纳米，而三纳米则是一个非常困难的发展限制。
这种立体的晶体管结构已经完全无法驾驭住三纳米的自产工艺若是突破了3纳米制成工艺之后，会出现相应的漏电，从而导致良品率的逐步下降。
而在去年公布即将采用1纳米的台基电，虽然本质上的制程工艺只有2纳米水准，但就算如此整个生产线的良品率其实还不到10%，这也让目前的台积电无法真正地开始将1纳米的制程工艺进行商用。
现在的光刻机的制程工艺想要更进一步，需要做出更大的改变，当然目前是拥有着两种改变的方式。
第一种是进行处理器芯片晶体管的全新架构的研发，目前有部分的科学家提出了全环栅极晶体管排列技术。
这项技术是上一代技术的升级版本，其最大的难度就是将原本的三面环绕变成了至少九面以上的环绕，从而保证电流经过栅极的时候不会漏电。
当然这项技术的难度是非常之高的，想要完全的将这项技术真正的运用，并且时间需要非常多的人力物力去研发。
以至于现在的各国都没有将这项技术完全的研发出来，并且运用到接下来的半导体芯片的生产之中。
第二种办法就是采用其他的材料，将原本的材料换成密度更高，更加稳定的半导体材料。
而系统目前奖励的这项技术就是将原先的硅材料换成了碳基材料，从而实现新的半导体材料的变更，这种半导体材料配合着原有的技术能够使得芯片的晶体管达到0.5纳米的制程。
第355章 新型半导体材料(3/5)