的主要运作则是通过栅极开电流通过电流关闭，最终达到运算的效果。
而手机的性能以及运算水平都是由无数个晶体管通过放行或者阻断电流，从而完成了芯片的运算过程。
这也就意味着晶体管的数量越多，处理器芯片的性能表现和运算水平越高。
处理器芯片之中所熟知的纳米制程，则是和晶体管的尺寸相关。
其所代表的并不是晶体管的平均的每个晶体管的厚度，而是晶体管中最小栅极的厚度。
用这样的话来说，所谓的5纳米制程，并不是所有的晶体管的厚度达到5纳米，而是一部分的晶体管的厚度达到了5纳米水平。
当然处理器芯片的制程越小，晶体管的体积越小，同等面积之中就能够放下更多的晶体管，从而提高运算水平和性能并且降低功耗。
当然随着目前光刻机技术的不断增强，所谓的制程将会受到限制。
这正是最为常见的“量子隧穿效应”！
这种效应会导致处理器之中的晶体管电流通过三栅极之时，由于栅极的直径狭小导致漏电，最终损害栅极，从而使得整个处理器芯片破坏。
最开始影响这种量子隧穿效应的极限是28纳米，当小于28纳米的时候，会影响到芯片的良品率。
当然从事半导体行业的专业人员将原本的半导体的晶体管的结构进行改变从平面的单个栅极改变成为三面环绕的栅极立体结构。
从而控制住了漏电的情况，最终成功地突破了28纳米制程工艺的极限。
而目前的大多数的芯片都是采用这种全新的结构，从而保证处理器芯片
第355章 新型半导体材料(2/5)